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三星:2021年最早大规模生产3nm工艺_蜘蛛资讯网

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年下半年开始生产7nm的超视距芯片。去年,三星还表示,它将在2020年使用4纳米砷化镓场效应晶体管(gate all around fet)工艺。然而,一些业内人士,包括加纳副总裁王国荣(Samuel Wang)对Gaafet芯片能否在2022年投产表示怀疑。尽管台积电和格罗福德全球铸造厂在EUV芯片开发方面并没有落后,但三星也有自己的优势。三星公司内部开发了自己的超视距掩模检测工具,但尚未开发出

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发布时间:20:39:28


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